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芯片产能利用率又回复到金融危机之前的水平

  按SEMI的资深分析师Christian Dieseldorff报道,SEMI的全球Fab预测于2010年时全球Fab投资再增加64%,达240亿美金。
  ICInsight的McClean认为,今年第三季度的全球产能利用率可达88%,接近去年金融危机之前的水平。它还认为2007年的产能利用率达90%,一直维持到去年的前三个季度。之后2008 Q4下降到68%,2009 Q1为最低水平是57%,到09 Q2由于OEM为补充库存而使产能利用率又回复到78%。
  按ICInsight观点芯片产能利用率又回复到金融危机之前的水平
  McClean表示,虽然产能利用率还没有低到2001年时全年的最低水平71.2%,但是它认为09年的水平仅77.4%。由于08及09两年的投资大幅减少,导致产能可能不足,而使 IC的ASP平均售价上升,并估计在2010-2012的三年期间,每年有5%的增长。
  SEMI的全球Fab预测
  据SEMI报道,2009年全球因为有31个fab关闭,而使总的产能下降2-3%。明年产能将缓慢的回升,估计增长4-5%,达每月总计2150万片(等值200mm计) 。在2010年的投资,主要是用于fab的升级改造,而不再是产能的扩大。
  的fab预测看到明年的fab升级改造是占投资的主要部分
  在09年的240亿美金投资中,有140亿美金来自全球的六家企业,包括如Global Foundries,Inotera(Micron和南亚的合资厂),Intel,Samsung,Toshiba及TSMC。这六家企业在挑战经济危机中仍将在未来两年中大量的投资。
  Global Foundries在阿布扎比的ATIC支撑下,09年投6-7亿美金,未来两年中每年投资超过10亿美金。ATIC已承诺在未来5年内为Global Foundries共计投资60亿美金。
  SEMI报告中指出,Inotera宣布,为推进70纳米的沟槽式技术向50纳米的堆叠电容器技术转移,将采用浸入式光刻机,所以预计投资达16亿美金。Inotera是在台塑集团的支撑下,因其是南亚的母企业。生产线的设备更新计划从今年底开始,—直延续到明年,预计直到2010年的化费达10亿美金。
  Intel宣布在未来的两年中投资70亿美金,用来升级现在的生产线到32纳米。预计2009年中化费30-40亿美金,及剰下的在2010年中花完。
  Samsung要将在美国Austin的200mm DRAM生产线转成300mm的专为NAND生产的后道生产线(BEOL),用来支撑现有的300mm NAND生产线。SEMI的全球Fab预测报告中预计,SAMSUNG与2010的投资合并在一起,总计达40-50亿美金,主要用于Austin的改造以及在韩国的15 line与16 line中。
  东芝正欲从全球股市中慕集30亿美金,用来投资它的生产线。在过去的8年中作为一家非金融性企业的最大股市集资。东芝计划今年有10亿美金,明年再有20亿美金。非常可能2011年更多。SEMI认为这些资金将用于全球日益增长的NAND 闪存的需求,2009年增加到70-150亿gigabytes及2011/2012年时为300-500亿 gigabytes。
  TSMC的今年投资计划修正已是第二次,在7月时更新为今年投资23亿美金及2010年的大于20亿美金。

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